R6011KNX
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | R6011KNX |
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Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.96 |
10+ | $1.761 |
100+ | $1.4157 |
500+ | $1.1631 |
1000+ | $0.9637 |
2000+ | $0.8973 |
5000+ | $0.864 |
10000+ | $0.8419 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220FM |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390mOhm @ 3.8A, 10V |
Verlustleistung (max) | 53W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 740 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11A (Tc) |
Grundproduktnummer | R6011 |
R6011KNX Einzelheiten PDF [English] | R6011KNX PDF - EN.pdf |
DIODE GP REV 2KV 250A DO205AB
DIODE GP REV 2KV 300A DO205AB
DIODE GP REV 2.4KV 250A DO205AB
MOSFET N-CH 600V 12A LPTS
600V 11A TO-220FM, LOW-NOISE POW
DIODE GP REV 1.8KV 250A DO205AB
DIODE GP REV 2.6KV 250A DO205AB
MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
MOSFET N-CH 600V 11A TO252
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DIODE GP REV 2.2KV 250A DO205AB
MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() R6011KNXRohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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